您的位置:游民星空 >> 科技频道 >> android >> 正文

三星Galaxy S6搭载超低耗14纳米芯 性能远超iPhone6

2015-02-16 16:27:09 来源:游民星空[整理] 作者:蓝莲 编辑:旅行者 浏览:loading 评论(loading)

  三星刚刚宣布自己已成为全球首个开始量产基于14纳米FinFET生产工艺移动处理器的公司。三星即将推出的Exynos 7 Octa,会用在新款旗舰Galaxy S6中,是首款采用这个新工艺的移动应用处理器。

  三星称相较于20纳米工艺,14纳米FinFET工艺打造的处理器速度快20%,耗能低35%。

游民星空

  三星执行副总裁Gabsoo Han称,“三星先进的14纳米FinFET工艺无疑是行业中最为先进的。我们预计14纳米移动应用处理器的生产会对移动行业的增长产生积极的影响,因为这可以进一步提升尖端智能手机的性能。”

  三星在其新闻稿中称,在“晶体管中融合了三维FinFET结构”,可以“克服之前20纳米以及更老工艺平面结构性能和缩放方面的限制”,这样在移动半导体行业中便具备“巨大”的竞争优势。

  三星竞争对手高通推出的骁龙810便使用了台积电的20纳米制造工艺。

  此外苹果iPhone6所用处理器采用20纳米的A8,相比三星Galaxy S6耗能方面就已输掉。不过iPhone6S的配置采用A9处理器的话,那么所采纳的工艺也是14纳米,看来2015年这两家的竞争会更加的白热化。

游民星空

更多资讯请访问:游民科技频道

游民科技频道交流群:

  如果你对科技内容感兴趣,可以直接点击图标加入到QQ群中进行讨论:

游民科技频道交流群

更多 分享次数:
站内搜索
关于本站 | 网站招聘 | 联系我们 | 广告服务 | 网站地图 | 新浪微博 | 腾讯微博 | 优酷空间
Copyright©2003-2014 GamerSky.com All rights reserved. 游民星空 版权所有 冀ICP备05003890号-1 冀ICP证B2-20130083 冀网文[2013]0591-010号